您的位置:首页 > 研究报告

国内外IGBT技术创新及产品研发趋势调研报告

2014-09-25 来源:高端装备发展研究中心 价格:1.5万元     法务声明:版权保护 侵权必究

【正文目录】

      第一章 IGBT结构、工艺及设计调研分析

             第一节 IGBT简介

                    一、IGBT结构及工作特性

                    二、IGBT工艺流程

             第二节 IGBT设计要点调研分析

                    一、IGBT的基本结构和工作原理

                    二、IGBT设计中的关键参数

                    三、IGBT的结构设计

                    四、影响IGBT可靠性的关键因素

                    五、IGBT设计中需要协调的几个参数

             第三节 IGBT封装工艺调研分析

      第二章 国内外IGBT技术创新调研及产品研发趋势预测分析

             第一节 世界六代IGBT的发展及技术创新调研分析

                    一、背景资料

                    二、IGBT的发展过程

                    三、IGBT技术改进的追求目标及效果分析

                    四、技术改进措施

                    五、世界IGBT制造公司产品研发趋势调研分析

             第二节 中国IGBT行业发展现状调研分析

                    一、中国IGBT行业发展与现状

                    二、我国 IGBT制造业存在问题

             第三节 中国IGBT技术创新及产品研发趋势调研分析

                    一、中国IGBT核心技术及人才缺失

                          1、中国IGBT技术创新延误原因分析

                          2、中国缺少核心产业化技术

                          3、政策应加大扶持力度

                          4、IGBT技术及应用

                    二、中国南车株洲所IGBT技术创新及产品研发趋势分析

             第四节 我国高压大功率IGBT芯片技术重大突破

             第五节 国内外IGBT重点品牌的市场及技术特点分析比较

                    一、IGBT/IPM 模块

                          1、富士电机

                          2、赛米控

                          3、博世

                          4、英飞凌

                          5、ABB集团

                          6、Vincotech

                          7、华尚新源

                    二、IGBT驱动部分

      第三章 IGBT材料、器件及封装技术创新调研分析

             第一节 IGBT器件及材料新技术

                    一、发射极端载流子浓度增强

                    二、集电极低空穴注入

                    三、超深结FS IGBT

                    四、逆导IGBT

                    五、逆阻IGBT

                    六、双向IGBT

                    七、SiC IGBT

             第二节 IGBT模块封装新技术

                    一、纳米银烧结和SKIN技术

                    二、双面散热技术

             第三节 IGBT发展方向与趋势调研分析

                    一、IGBT技术发展目标

                    二、IGBT芯片发展趋势

                    三、IGBT器件的发展方向与趋势调研分析

                          1、IGBT器件的发展新方向

                          2、IGBT器件的发展趋势

      第四章 IGBT应用现状调研分析

             第一节 电机中频变频器应用

                    一、背景资料

                    二、IGBT中频变频器参数设置

                    三、中频变频器V/F曲线失调问题

             第二节 中高频IGBT变频器实例

                    一、铭牌说明

                    二、主要技术参数

                    三、IGBT变频器特点

                    四、技术参数及调节范围说明

                    五、控制方式V/F选择方式

                    六、通电运行

             第三节 IGBT在高铁中应用

             第四节 IGBT在智能电网中应用

             第五节 IGBT在太阳能逆变器中应用

             第六节 IGBT在小家电中应用

                    一、IGBT在微波炉中的应用

                    二、IGBT在电磁炉中的应用

      第五章 国外IGBT主要生产单位(排名不分前后)

             第一节 美国国际整流器公司(IR)

                    一、单位简介

                    二、IGBT相关业务

             第二节 意法半导体(STMicroelectronics)公司

                    一、单位简介

                    二、IGBT相关业务

             第三节 飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)

                    一、单位简介

                    二、IGBT相关业务

             第四节 富士通(Fujitsu)株式会社

                    一、单位简介

                    二、IGBT相关业务

             第五节 英飞凌公司

                    一、单位简介

                    二、IGBT相关业务

             第六节 赛米控(Semikron)公司

                    一、单位简介

                    二、IGBT相关业务

             第七节 三肯(Sanken)电气株式会社

                    一、单位简介

                    二、IGBT相关业务

             第八节 三菱电机株式会社MitsubishiElectricCorp

                    一、单位简介

                    二、IGBT相关业务

             第九节 东芝公司

                    一、单位简介

                    二、IGBT相关业务

             第十节 美国艾赛斯功率半导体公司(IXYS)

                    一、单位简介

                    二、IGBT相关业务

      第六章 国内IGBT主要研究单位(排名不分前后)

             第一节 中科院微电子所

                    一、单位简介

                    二、IGBT相关研究

             第二节 清华大学

                    一、院校简介

                    二、IGBT相关研究

             第三节 浙江大学

                    一、院校简介

                    二、IGBT相关研究

             第四节 华北电力大学

                    一、院校简介

                    二、IGBT相关研究

      第七章 国内IGBT主要生产单位调研分析(排名不分前后)

             第一节 株洲南车时代电气股份有限公司

                    一、企业概况

                    二、IGBT产品分析

                    三、IGBT技术水平分析

             第二节 天津中环半导体股份有限公司

                    一、企业概况

                    二、IGBT产品分析

                    三、IGBT技术水平分析

             第三节 吉林华微电子股份有限公司

                    一、企业概况

                    二、IGBT产品分析

                    三、IGBT技术水平分析

             第四节 南京银茂微电子制造有限公司

                    一、企业概况

                    二、IGBT产品分析

                    三、IGBT技术水平分析

             第五节 厦门宏发电声股份有限公司

                    一、企业概况

                    二、IGBT产品分析

                    三、IGBT技术水平分析

             第六节 威海新佳电子有限公司

                    一、企业概况

                    二、IGBT产品分析

                    三、IGBT技术水平分析

             第七节 深圳市比亚迪微电子有限公司

                    一、企业概况

                    二、IGBT产品分析

                    三、IGBT技术水平分析

             第八节 科达集团

                    一、企业概况

                    二、IGBT产品分析

                    三、IGBT技术水平分析

             第九节 江苏宏微科技股份有限公司

                    一、企业概况

                    二、IGBT产品分析

                    三、IGBT技术水平分析

      第八章 中国IGBT技术创新及产品研发趋势外部环境分析

             第一节 全球宏观经济环境分析

             第二节 重点国家和地区宏观经济环境分析

             第三节 我国宏观经济环境分析

             第四节 宏观经济环境对IGBT行业的影响

      第九章 中国IGBT产业新动向

             第一节 中国IGBT产业迅猛发展

             第二节 我国自主设计IGBT芯片通过鉴定

             第三节 国产高铁核心器件IGBT产品海量销售

             第四节 国内首条8英寸IGBT芯片生产线将投产

             第五节 我国IGBT技术创新与产业联盟成立

      第十章 中国IGBT投资分析

             第一节 IGBT投资政策环境分析

                    一、行业政策影响分析

                    二、IGBT行业竞争环境分析

             第二节 IGBT投资风险分析

                    一、技术风险分析

                    二、市场风险分析

                    三、项目建设和管理风险分析

             第三节 IGBT投资策略分析

                    一、投资时机选择策略

                    二、市场竞争策略

                    三、企业融资策略

                    四、企业重组策略

      第十一章 《国内外IGBT技术创新及产品研发趋势调研报告》结论

             第一节 专家观点

             第二节 太阳谷建议

             第三节 主要研究结论