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国内外大功率半导体激光器研发趋势调研报告

2018-12-26 来源:北京太阳谷咨询有限公司 价格:1.5万元     法务声明:版权保护 侵权必究

【正文目录】

      第一章 大功率半导体激光器应用与发展概述

             第一节 大功率半导体激光器概述

             第二节 大功率半导体激光器应用领域

                    一、医疗和生命科学领域

                    二、工业领域

                    三、军事领域

             第三节 大功率半导体激光器性能指标

                    一、输出功率

                    二、转换效率

                    三、可靠性

             第四节 大功率半导体激光器关键技术

                    一、结构设计优化

                    二、高质量的外延材料生长技术

                    三、腔面处理技术

                    四、集成封装技术

             第五节 重点国家大功率半导体激光器发展情况

                    一、美国

                    二、德国

                    三、日本

                    四、中国

      第二章 国内外大功率半导体激光器芯片结构优化技术发展

             第一节 垂直腔面发射半导体激光器研究现状

                    一、垂直腔面发射激光器(VCSEL)

                    二、电抽运垂直外腔面发射激光器(EP-VECSEL)

                    三、光抽运垂直外腔面发射激光器(OP-VECSEL)

             第二节 大功率单隧道结半导体激光器材料结构优化

                    一、外延材料结构设计

                    二、单隧道结激光器的制作

                    三、器件主要性能参数

             第三节 大功率激光器阵列芯片增益耦合型栅结构优化

                    一、增益耦合型光栅结构的设计优化

                    二、高线性大功率阵列的实现

                    三、器件主要性能参数

             第四节 超高功率808nm半导体激光器结构设计

                    一、高功率激光结构设计

                    二、高功率激光工艺制作与腔面处理

                    三、高功率激光性能测试

             第五节 多角度垂直外腔面发射激光器

                    一、设计方法

                    二、设计步骤

                    三、结果与讨论

      第三章 国内外大功率半导体激光器腔面钝化技术发展

             第一节 半导体激光器腔面钝化特性与研究现状

                    一、半导体激光器腔面钝化特性

                    二、半导体激光器腔面钝化研究进展

             第二节 大功率半导体激光器腔面钝化技术

                    一、COD阈值提高的典型方法

                    二、等离子体表面处理技术

             第三节 大功率半导体激光器腔面抗烧毁技术研究

                    一、腔面烧毁机理分析

                    二、抗烧毁技术途径及技术路线

                    三、808nm激光器腔面抗烧毁技术试验

      第四章 国内外半导体激光芯片高质量外延生长技术发展

             第一节 金属气相沉淀工艺(MOCVD)应用实例

                    一、MOCVD工艺生长AlGaInAs/InP多量子阱激光器

                    二、12W高功率高可靠性半导体激光器设计制作

                    三、808nm准连续600W高功率半导体激光芯片设计

             第二节 分子束外延生长(MBE)应用实例

                    一、低成本新型量子点激光器

                    二、分子束外延法生长砷化镓量子点激光器

                    三、砷化镓基量子级联半导体激光器材料及生长方法

             第三节 高质量AlN材料异质外延技术成果

                    一、成果简介

                    二、实验步骤

                    三、实施效果

             第四节 高质量GaN单晶片外延生长用缓冲层制备技术

                    一、成果简介

                    二、实验步骤

                    三、实施效果

      第五章 国内外半导体激光器光学准直与光束整形技术发展

             第一节 高光束质量半导体激光合束光源的研究进展

                    一、常规合束(TBC)技术及进展

                    二、密集波长合束(DWDM)技术及进展

                    三、光谱合束(SBC)技术及进展

             第二节 大功率半导体激光器合束研究进展及应用

                    一、单管半导体激光器合束

                    二、传导冷却半导体激光线阵的合束

                    三、激光叠阵的合束

                    四、应用案例

             第三节 半导体激光器光束准直整形技术

                    一、圆柱透镜系统

                    二、非球面柱透镜准直系统

                    三、光纤耦合系统

                    四、其他光束整形方法

             第四节 量子级联激光器高效率光束合成技术

                    一、光学设计

                    二、单管器件光束整形

                    三、光束合成实验与结果

             第五节 用于高亮度半导体激光器的相干合束整形

                    一、相干合束研究进展

                    二、扩展的腔体配置

                    三、振荡功率放大器配置

      第六章 国内外大功率半导体激光阵列芯片封装技术发展

             第一节 大功率激光器封装技术及封装形式

                    一、半导体激光器的封装技术

                    二、半导体激光器的封装形式

                    三、大功率半导体激光阵列芯片封装关键技术

             第二节 大功率半导体激光器热沉技术的研究现状

                    一、LD传导冷却方式及相应封装热沉

                    二、LD液体冷却方式及相应封装热沉

                    三、大功率半导体激光器相变制冷研究

             第三节 芯片封装关键技术研究现状

                    一、Smile效应抑制技术

                    二、Smile效应测量技术

                    三、微通道热沉散热技术

                    四、AuSn焊料焊接技术

             第四节 焊料对高功率半导体激光器性能的影响

                    一、焊料体系的影响

                    二、焊料厚度的影响

                    三、金锡共晶焊料性质和制备

             第五节 高功率半导体激光器封装材料散热性能研究

                    一、陶瓷封装散热性能研究

                    二、碳化硅封装散热性能研究

             第六节 封装对大功率半导体激光器热应力的影响

                    一、热应力及Smile的影响

                    二、热特性分析与热沉结构优化研究

                    三、烧结空洞对热分布的影响

      第七章 国内外大功率半导体激光器重点研制单位调研

             第一节 国外重点科研单位调研

                    一、美国麻省理工学院林肯实验室(MIT Lincoln)

                    二、美国国防高级计划研究局(DARPA)

                    三、德国弗劳恩霍夫实验室(Fraunhofer)

                    四、德国柏林工业大学光学研究所

             第二节 国外重点研制企业调研

                    一、德国Laserline公司

                    二、德国Dilas公司

                    三、德国Jenoptik Laser公司

                    四、美国恩耐(Nlight)公司

                    五、美国Spectra-Physics Lasers公司

                    六、美国相干(Coherent)公司

                    七、日本三菱(Mitsubishi)公司

                    八、日本松下(Panasonic)公司

             第三节 国内重点科研院校调研

                    一、中国科学院西安光学精密机械研究所

                    二、中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

                    三、中国科学院半导体研究所

                    四、中国电子科技集团公司第十三研究所

                    五、长春理工大学

                    六、北京工业大学

                    七、西安电子科技大学

             第四节 国内重点研制企业调研

                    一、西安炬光科技有限公司

                    二、苏州长光华芯光电技术有限公司

                    三、深圳瑞波光电子有限公司

                    四、温州泛波激光有限公司

                    五、北京吉泰基业科技有限公司

                    六、北京凯普林光电科技股份有限公司

                    七、山东能源重装集团大族再制造有限公司

      第八章 我国大功率半导体激光器市场现状及发展前景预测

             第一节 国内大功率半导体激光器市场发展现状分析

                    一、国内大功率半导体激光器产业环境变化分析

                    二、国内大功率半导体激光器市场规模现状分析

                    三、国内大功率半导体激光器市场竞争现状分析

             第二节 2018-2025年国内大功率半导体激光器市场前景预测分析

                    一、2018-2025年国内大功率半导体激光器市场规模发展预测分析

                    二、2018-2025年国内大功率半导体激光器应用领域市场预测分析

                    三、2018-2025年国内大功率半导体激光器竞争情况预测分析

      第九章 国内外大功率半导体激光器研发趋势评估与建议

             第一节 国内外大功率半导体激光器技术发展趋势分析

                    一、国内外大功率半导体激光器技术成熟度对比分析

                    二、国内外大功率半导体激光器技术研发趋势分析

             第二节 我国大功率半导体激光器技术发展的不足及建议

                    一、我国大功率半导体激光器技术发展存在的问题

                    二、我国大功率半导体激光器技术发展建议